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HSTB55NF06LT4
1个N沟道 耐压:55V 电流:49A
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- 描述
- 这款N沟道MOSFET具备49A的连续排水电流（ID/A），其最大漏源电压（VDSS）为55V，导通电阻（RDSON）低至9毫欧，在高功率密度设计中表现出色。器件支持最大±20V的栅源电压（VGS），确保了良好的控制特性。其优异的电气参数使其成为高性能开关电源、LED照明驱动以及电池供电设备等应用的理想选择，能够在减少能量损耗的同时提供稳定的电流控制。
- 商品型号
- HSTB55NF06LT4
- 商品编号
- C42401081
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.281633克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 49A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 94W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.47nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 88pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
WMOS D1是第一代垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS）产品系列，显著降低了导通电阻，并具有超低栅极电荷，适用于需要高功率密度和高效率的应用。该产品性能稳定，符合RoHS标准。
商品特性
- VDS = 55V
- ID = 49A
- RDS(ON) < 13mΩ @ VGS = 10V
应用领域
- 开关应用
- 逆变器系统电源管理
- N沟道MOSFET