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CMB65R105
N沟道 650V 31A
- 描述
- MOS管，TO-263，N沟道，耐压：650V，电流：31A，10V内阻:100mΩ,功率：250W,CISS(Typ)：2200pF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMB65R105
- 商品编号
- C42388474
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.626克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 31A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 57nC@480V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 350pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.2nF |
商品特性
- 超快体二极管
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
- 多层外延芯片技术
应用领域
- 充电器
- 适配器
- 电源