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CMH11N90
N沟道 900V 11A
- 描述
- MOS管，TO-247，N沟道，耐压：900V，电流：11A，10V内阻:1200mΩ,功率：240W,CISS(Typ)：2600pF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMH11N90
- 商品编号
- C42388480
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.863333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 240W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场合。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -40 V，漏极电流（ID） = -45 A，在栅源电压（VGS） = -10 V时，导通电阻（RDS(ON)） < 13 mΩ
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻（RDS(ON)）
- 封装散热性能良好