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CMP1608A
N沟道 80V 180A
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- 描述
- MOS管，TO-220，N沟道，耐压：80V，电流：180A，10V内阻:3.1mΩ,功率：300W,CISS(Typ)：8050pF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMP1608A
- 商品编号
- C42388485
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.7575克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 172nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 800pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.05nF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用Cmos先进的沟槽技术工艺制造,该工艺经过优化,可在保持卓越开关性能的同时,将导通电阻降至最低。 80V、典型值2.8mΩ、180A的N沟道MOSFET
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电池管理
- 不间断电源