温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PJM10N60SQ
1个N沟道 耐压:60V 电流:10A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- N沟道，VDS=60V ID=10A ,PD:1.35W RDS(ON)<30mΩ@Vgs=10V,Trench工艺
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJM10N60SQ
- 商品编号
- C42388535
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.097克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 973pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 59pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用Cmos先进的沟槽技术工艺制造，该工艺经过优化，可在保持卓越开关性能的同时，将导通电阻降至最低。 80V、典型值2.8mΩ、180A的N沟道MOSFET
商品特性
- 采用高密度单元设计,实现极低的导通电阻RDS(on)
- 封装散热性能良好
- 雪崩电压和电流特性完备
应用领域
-功率开关应用-不间断电源