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PJM03N60SQ
1个N沟道 耐压:60V 电流:3A
- 描述
- N沟道，VDS=60V ID=3A ,PD:1.5W RDS(ON)<95mΩ@Vgs=10V,Trench工艺
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJM03N60SQ
- 商品编号
- C42388597
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.097克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
CMS4612采用先进的沟槽技术MOSFET，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于H桥、逆变器及其他应用。
商品特性
- 先进沟槽技术
- 符合 RoHS 和 REACH 标准
- 无卤素和锑
- 湿度敏感度等级 1 级
应用领域
-DC/DC 转换器-电池开关