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PJMG10H13PSQ
1个P沟道 耐压:100V 电流:13A
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- 描述
- SGT屏蔽栅沟槽型,P沟道，VDS=-100V ID=-13A ,PD:1.35W RDS(ON)<150mΩ@Vgs=-10V,
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJMG10H13PSQ
- 商品编号
- C42388542
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 165mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.35W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 725pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
BN103N820采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(on)，可用于广泛的应用领域。
商品特性
- 先进的分裂栅沟槽技术
- 符合 RoHS 和 REACH 标准
- 无卤素和锑
- 湿度敏感度等级 1
应用领域
-功率开关应用-不间断电源