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PJM3400NSQ实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PJM3400NSQ

1个N沟道 耐压:30V 电流:9A

描述
N沟道,VDS=30V ID=6A ,PD:1.4W RDS(ON)<28mΩ@Vgs=10V,Trench工艺
品牌名称
PJSEMI(平晶微)
商品型号
PJM3400NSQ
商品编号
C42388596
商品封装
SOT-89​
包装方式
编带
商品毛重
0.097克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)9A
导通电阻(RDS(on))28mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.4W
阈值电压(Vgs(th))1.4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)9.5nC@10V
输入电容(Ciss)702pF@15V
反向传输电容(Crss)52pF@15V
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道

商品概述

CMS4454采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适用于消费、电信、工业电源和LED背光等领域的升压转换器和同步整流器。

商品特性

  • 低导通电阻
  • 驱动要求简单
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • DC-DC转换器
  • 计算机主板

数据手册PDF