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PJM10H06NSQ
耐压:100V 电流:9A
- 描述
- N沟道，VDS=100V ID=6A ,PD:1.35W RDS(ON)<140mΩ@Vgs=10V,Trench工艺
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJM10H06NSQ
- 商品编号
- C42388532
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.098克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.35W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 690pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品特性
- 出色的导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷
- 在VGS = 10V时,导通电阻(RDS(on)) < 140mΩ
- SOT - 89封装
应用领域
- 功率开关应用
- 不间断电源