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CMP200N06A
N沟道 60V 180A
- 描述
- MOS管，TO-220，N沟道，耐压：60V，电流：180A，10V内阻:2.3mΩ,功率：330W,CISS(Typ)：8050pF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMP200N06A
- 商品编号
- C42388486
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.766克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 330W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 183nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.4nF |
商品概述
CMN2301MK是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。
商品特性
~~- 低导通电阻-驱动要求简单-表面贴装封装-符合RoHS标准
应用领域
- 低功率直流-直流转换器-负载开关-电池管理-电池供电的便携式设备