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CMS4612A
N沟道+P沟道 60V/-60V 5.5A/-4A
- 描述
- MOS管，SOP-8，N+P沟道，耐压：60V/-60V，电流：5.5A/-4A，10V内阻:40mΩ/76mΩ,4.5V内阻：48mΩ/110mΩ,功率：2W,CISS(Typ)：620pF/880pF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMS4612A
- 商品编号
- C42388488
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.126克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.5A；4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 33mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 620pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品概述
CMS4612采用先进的沟槽技术MOSFET,可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于H桥、逆变器及其他应用。
商品特性
-低导通电阻-驱动要求简单-表面贴装封装-符合RoHS标准
应用领域
-DC/DC转换器-电源管理