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CMSV65R105
N沟道 650V 26A
- 描述
- MOS管，DFN-8 8x8，N沟道，耐压：650V，电流：26A，10V内阻:100mΩ,功率：150W,CISS(Typ)：2050pF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSV65R105
- 商品编号
- C42388492
- 商品封装
- DFN-8(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2625克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 26A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 57nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
80R900D是一款采用Cmos先进超结技术的功率MOSFET，可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过采用优化的电荷耦合技术，它将提供更高的效率。这些用户友好型器件不仅能为设计师带来低电磁干扰（EMI）的优势，还具有低开关损耗。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 出色的静电放电（ESD）耐受性
- 符合RoHS标准
应用领域
- 适配器
- 开关应用
- 功率因数校正（PFC）电源级