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CMSA045N10
N沟道 100V 100A
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- 描述
- MOS管，DFN-8 5x6，N沟道，耐压：100V，电流：100A，10V内阻:4.5mΩ,4.5V内阻：6mΩ,功率：150W,CISS(Typ)：3600pF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSA045N10
- 商品编号
- C42388490
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.142克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.6nF |
商品概述
CMSV65R105采用先进的SGT技术，可提供出色的RDS(ON)。该产品系列具备快速开关超结MOSFET的所有优势，可实现更高效率、更低栅极电荷、易于应用且可靠性卓越。
商品特性
- 超快体二极管
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 太阳能-电源-不间断电源
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