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CMP029N06
N沟道 60V 160A
- 描述
- MOS管，TO-220，N沟道，耐压：60V，电流：160A，10V内阻:2.7mΩ,4.5V内阻：3.7mΩ,功率：180W,CISS(Typ)：4700pF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMP029N06
- 商品编号
- C42388484
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.7465克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 160A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 180W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 74nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.4nF |
商品概述
200N06A采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)。该器件非常适合用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电机控制与驱动-电池管理