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CMN2301MK
P沟道 -20V -3A
- 描述
- MOS管，SOT-23-3L，P沟道，耐压：-20V，电流：-3A，4.5V内阻：75mΩ,功率：1W,CISS(Typ)：710pF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMN2301MK
- 商品编号
- C42388483
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0365克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 72mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
CMN2301MK是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET,可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻(RDSON)和效率。
商品特性
-低导通电阻-驱动要求简单-表面贴装封装-符合RoHS标准
应用领域
-低功率直流-直流转换器-负载开关-电池管理-电池供电的便携式设备