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CMN2301MK
P沟道 -20V -3A
- 描述
- MOS管，SOT-23-3L，P沟道，耐压：-20V，电流：-3A，4.5V内阻：75mΩ,功率：1W,CISS(Typ)：710pF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMN2301MK
- 商品编号
- C42388483
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0365克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 72mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF@20V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RDS(on)）。它适用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = 30 V，ID = 140 A，当VGS = 10 V时，RDS(ON) < 2 mΩ
- 低栅极电荷。
- 提供环保器件。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻（RDS(ON)）。
- 封装散热性能良好。