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CMH60R190Q
N沟道 600V 20A
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- 描述
- MOS管，TO-247，N沟道，耐压：600V，电流：20A，10V内阻:199mΩ,功率：250W,CISS(Typ)：2000pF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMH60R190Q
- 商品编号
- C42388481
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.872222克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 199mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
60R190Q是一款采用Cmos先进超结技术的功率MOSFET，可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过使用优化的电荷耦合技术，它将提供更高的效率。这些用户友好型器件为设计师带来低电磁干扰（EMI）优势，同时具有低开关损耗。
商品特性
- 多层外延芯片技术
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 充电器
- 适配器
- 电源