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CMD90R900D
N沟道 900V 6A
- 描述
- MOS管，TO-252，N沟道，耐压：900V，电流：6A，10V内阻:900mΩ,功率：65W,CISS(Typ)：500pF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD90R900D
- 商品编号
- C42388478
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3775克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 900mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 65W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.8pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
90R900D是一款功率MOSFET，采用Cmos先进的超结技术，可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过使用优化的电荷耦合技术，它将提供更高的效率。这些用户友好型器件为设计师带来低电磁干扰（EMI）优势，同时具备低开关损耗。
商品特性
- 多层外延芯片技术
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 出色的静电放电（ESD）鲁棒性
- 符合RoHS标准
应用领域
- 适配器
- 开关应用
- 功率因数校正（PFC）电源级