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CMB80P10
P沟道 -100V -80A
- 描述
- MOS管，TO-263，P沟道，耐压：-100V，电流：-80A，10V内阻:25mΩ,功率：250W,CISS(Typ)：11000pF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMB80P10
- 商品编号
- C42388475
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.7115克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 11nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
034N06采用先进的SGT技术，可提供出色的RDS(ON)。该器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电机控制与驱动-电池管理