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GT110N06S-BQ
1个N沟道 耐压:60V 电流:14A
- 描述
- 类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：60V@@连续漏极电流(Id)：14A@@阈值电压(Vgs(th))：2.4V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：8.5mΩ@10V 10mΩ@4.5V @@封装：SOP-8
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GT110N06S-BQ
- 商品编号
- C42378482
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.173181克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.475nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 365pF |
商品概述
GT110N06S-BQ采用先进的沟槽技术,具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷,可广泛应用于各类场景。
商品特性
- 漏源电压VDS:60V
- 漏极电流ID(栅源电压VGS = 10V时):14A
- 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = 10V时):11mΩ
- 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = 4.5V时):14mΩ
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器