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G16P03D3-BQ
1个P沟道 耐压:30V 电流:45A
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- 描述
- 类型：P沟道@@漏源电压(Vdss)：-40V@@连续漏极电流(Id)：-80A@@阈值电压(Vgs(th))：-2.5V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：5mΩ@10V 6.7mΩ@4.5V @@封装：DFN-8L(3x3)
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G16P03D3-BQ
- 商品编号
- C42378541
- 商品封装
- DFN3X3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 55W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.805nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 342pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 344pF |
商品概述
G16P03D3-BQ采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于各种应用场景。
商品特性
- 漏源极电压(VDS) -30V
- 漏极电流(ID,VGS = -10 V时) -45A
- 导通电阻RDS(ON)(VGS = -10V时) < 12mΩ
- 导通电阻RDS(ON)(VGS = -4.5V时) < 16mΩ
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-电源开关-DC/DC转换器