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G12P04K-BQ
1个P沟道 耐压:40V 电流:12A
- 描述
- 类型：P沟道@@漏源电压(Vdss)：-40V@@连续漏极电流(Id)：-12A@@阈值电压(Vgs(th))：-2.5V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：29mΩ@10V 35mΩ@4.5V @@封装：TO-252
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G12P04K-BQ
- 商品编号
- C42378542
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.163nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 98pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
G12P04K-BQ采用先进的沟槽技术,具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷,可应用于多种场景。
商品特性
- 漏源电压VDS:-40V
- 漏极电流ID(栅源电压VGS = -10V时):-12A
- 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = -10V时):< 35 mΩ
- 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = -4.5V时):< 45mΩ
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器