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G08N06S-BQ
1个N沟道 耐压:60V 电流:5A
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- 描述
- 类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：60V@@连续漏极电流(Id)：5A@@阈值电压(Vgs(th))：2.5V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：26mΩ@10V 29mΩ@4.5V @@封装：SOP-8
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G08N06S-BQ
- 商品编号
- C42378544
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.173181克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.36nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 52pF |
优惠活动
购买数量
(4000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个4000个/圆盘
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