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G4616-B
1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V 电流:8A
- 描述
- 类型：N+P沟道@@漏源电压(Vdss)：40V/-40V@@连续漏极电流(Id)：8A/-7A@@阈值电压(Vgs(th))：2.5V/-2.5V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：15mΩ/28mΩ@10V 20mΩ/36mΩ@4.5V @@封装：SOP-8 Dual
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G4616-B
- 商品编号
- C42378550
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18715克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A；7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V；28mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W；2.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC；13nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 415pF；520pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF；65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 122pF；100pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制
- 具有相同栅极电阻RG的相同低侧和高侧开关