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18N10-BQ实物图
  • 18N10-BQ商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

18N10-BQ

1个N沟道 耐压:100V 电流:35A

描述
类型:N沟道@@漏源电压(Vdss):100V@@连续漏极电流(Id):35A@@阈值电压(Vgs(th)):2.5V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs:36mΩ@10V 39mΩ@4.5V @@封装:TO-252
品牌名称
GOFORD(谷峰)
商品型号
18N10-BQ
商品编号
C42378547
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)35A
导通电阻(RDS(on))63mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)80W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)26nC@10V
输入电容(Ciss)2.161nF
反向传输电容(Crss)53pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)54pF

数据手册PDF

优惠活动

  • 8.5

    购买数量

    (2500个/圆盘,最小起订量 5 个)
    起订量:5 个2500个/圆盘

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