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G6N02L-BQ
1个N沟道 耐压:20V 电流:9A
- 描述
- 类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：20V@@连续漏极电流(Id)：6A@@阈值电压(Vgs(th))：0.9V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：9.5mΩ@4.5V 13mΩ@2.5V @@封装：SOT-23-3
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G6N02L-BQ
- 商品编号
- C42378546
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034831克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14.1mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.151nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 152pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
优惠活动
购买数量
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起订量：10 个3000个/圆盘
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