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G10N03S-BQ
1个N沟道 耐压:30V 电流:13A
- 描述
- 类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：30V@@连续漏极电流(Id)：13A@@阈值电压(Vgs(th))：2.5V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：6mΩ@10V 12mΩ@4.5V @@封装：SOP-8
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G10N03S-BQ
- 商品编号
- C42378543
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.173181克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.23W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 832pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 134pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 148pF |
商品概述
G110N06K-BQ采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS：60V
- 漏极电流ID（栅源电压VGS = 10V时）：110A
- 导通电阻RDS(ON)（栅源电压VGS = 10V时）：< 6.4mΩ
- 导通电阻RDS(ON)（栅源电压VGS = 4.5V时）：< 8.4mΩ
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器