温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
G30N03D3-BQ
1个N沟道 耐压:30V 电流:42A
- 描述
- 类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：30V@@连续漏极电流(Id)：42A@@阈值电压(Vgs(th))：2.5V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：5mΩ@10V 7.5mΩ@4.5V @@封装：DFN-8L(3x3)
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G30N03D3-BQ
- 商品编号
- C42378540
- 商品封装
- DFN3X3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0506克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 42A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.26nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 185pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 230pF |
商品概述
G30N03D3-BQ采用先进的沟槽技术,具备出色的RDS(ON)和低栅极电荷,可广泛应用于各种场景。
商品特性
- VDS 30V
- ID(VGS = 10 V 时)42A
- RDS(ON)(VGS = 10V 时)< 7 mΩ
- RDS(ON)(VGS = 4.5 V 时)< 12 mΩ
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器