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GT095N10K-BQ
1个N沟道 耐压:100V 电流:55A
- 描述
- 类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：100V@@连续漏极电流(Id)：55A@@阈值电压(Vgs(th))：2.5V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：8.5mΩ@10V 10.5mΩ@4.5V @@封装：TO-252
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GT095N10K-BQ
- 商品编号
- C42378483
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4064克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 74W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 54nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.66nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
GT095N10K-BQ采用先进的沟槽技术,具有出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷,可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS:100V
- 漏极电流ID(栅源电压VGS = 10V时):55A
- 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = 10V时):< 10.5mΩ
- 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = 4.5V时):< 15mΩ
- 100%经过雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- 直流-直流转换器