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G1006LE-BQ
1个N沟道 耐压:100V 电流:3A
- 描述
- 类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：100V@@连续漏极电流(Id)：3A@@阈值电压(Vgs(th))：2.5V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：96mΩ@10V 105mΩ@4.5V @@封装：SOT-23-3L
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G1006LE-BQ
- 商品编号
- C42378536
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034831克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@50V | |
| 输入电容(Ciss) | 532pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
G1006LE-BQ采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS 100V
- ID(VGS = 10 V 时)3A
- RDS(ON)(VGS = 10V 时)< 120mΩ
- RDS(ON)(VGS = 4.5 V 时)< 130 m Ω
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
- 静电放电(人体模型):5KV
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器