温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
G86N06K-BQ
1个N沟道 耐压:60V 电流:80A
- 描述
- 类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：60V@@连续漏极电流(Id)：80A@@阈值电压(Vgs(th))：4V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：6.6mΩ@10V @@封装：TO-252
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G86N06K-BQ
- 商品编号
- C42378538
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 61nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.335nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
G86N06K-BQ采用先进的沟槽技术,具有出色的RDS(ON)和低栅极电荷,可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压(VDS):60V
- 漏极电流(ID,栅源电压VGS = 10V时):80A
- 导通电阻(RDS(ON),栅源电压VGS = 10V时):8mΩ
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器