- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HSM6117
P沟道60V快速开关MOSFET
- 描述
- HSM6117 是高单元密度的沟槽式 P 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSM6117 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100%通过 EAS 测试，并经过全面的功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSM6117
- 商品编号
- C42376788
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.173181克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 5.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 85nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.635nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 241pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 524pF |
商品概述
HSM6117是高单元密度沟槽P沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSM6117符合RoHS和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力（EAS），并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 超低栅极电荷
- 100%保证抗雪崩能力（EAS）
- 提供绿色环保器件
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术