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KNF6765A
650V 16A
- 描述
- 特性：专有新型平面技术。 符合RoHS标准。 RDS(ON)=0.45Ω(典型值)@VGS = 10V。 低栅极电荷，可降低开关损耗。 快速恢复体二极管。应用：适配器。 充电器
- 品牌名称
- KIA
- 商品型号
- KNF6765A
- 商品编号
- C41369536
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.8146克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 550mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 65W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.3nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -20 V，漏极电流（ID） = -3 A，在栅源电压（VGS） = -4.5 V时，导通电阻（RDS(ON)） < 55 mΩ
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现极低的导通电阻（RDS(ON)）
- 封装散热性能良好