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KPY3203D
P沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：RDS(ON) = 3.5mΩ (typ.) @ VGS = 10V。 超低栅极电荷。 100% EAS保证。 绿色环保器件。 优异的CdV/dt效应抑制。 先进的高单元密度沟槽工艺
- 品牌名称
- KIA
- 商品型号
- KPY3203D
- 商品编号
- C41369557
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1972克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 130nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.55nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 900pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1nF |