商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 115nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.76nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 440pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 650pF |
商品特性
- 在VGS = -10 V时,RDS(ON) = 3.2 mΩ(典型值)
- 超低栅极电荷
- 100%保证EAS
- 提供环保器件
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽结构
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