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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

KNY3303C

90A、30V N沟道MOSFET

描述
特性:RDS(ON) = 2.6mΩ (typ.)@VGS = 10V,DFN3*3 / 5*6。 RDS(ON) = 3.2mΩ (typ.)@VGS = 10V,TO-252。 极低导通电阻RDS(ON)。 低Crss。 快速开关。 100%雪崩测试。应用:PWM应用。 负载开关
品牌名称
KIA
商品型号
KNY3303C
商品编号
C41369539
商品封装
DFN-8(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.146克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)90A
导通电阻(RDS(on))3.9mΩ@10V
耗散功率(Pd)66W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.2V@250uA
栅极电荷量(Qg)60nC@10V
输入电容(Ciss)3.28nF@15V
反向传输电容(Crss)320pF@15V
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 在VGS = 10 V时,RDS(ON) = 4.8 mΩ(典型值)
  • 提供无铅环保器件
  • 低导通电阻,以降低传导损耗
  • 高雪崩电流

应用领域

  • 功率开关应用
  • 硬开关和高频电路
  • 不间断电源

数据手册PDF