商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 260A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 164W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 210nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.45nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 1.5nF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30 V，漏极电流（ID） = 4 A，当栅源电压（VGS） = 10 V时，导通电阻（RDS(ON)） < 42 mΩ
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现极低的导通电阻（RDS(ON)）
- 封装散热性能优异