商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 260A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 164W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 210nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.45nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 1.5nF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 采用先进的SGT技术
- 器件额定值:VDS = 40 V,ID = 260 A
- RDS(ON) = 1.1 mΩ(典型值)@ VGS = 10 V
- 专有高密度沟槽技术
- 符合RoHS标准且无卤素
应用领域
- 电池管理系统
- 负载开关
- 无刷直流电机控制