商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 78nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.85nF@125V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 320pF |
商品特性
- 在VGS = 10 V、DFN33/56封装条件下，RDS(ON) = 2.6 mΩ（典型值）
- 在VGS = 10 V、TO - 252封装条件下，RDS(ON) = 3.2 mΩ（典型值）
- 极低的导通电阻RDS(ON)
- 低Crss
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- PWM应用-负载开关-电源管理