商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 108W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 480nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 1nF |
商品特性
- 在VGS = 10 V时,RDS(ON) = 7 mΩ(典型值)
- 专有新型平面技术
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- 开关电源(SMPS)
- 不间断电源(UPS)
- 功率因数校正(PFC)