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KNH2908D
130A、80V N沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：RDS(ON) = 4.8 mΩ（典型值）@ VGS = 10V。 提供无铅和环保器件。 低导通电阻，以最小化传导损耗。 高雪崩电流。应用：电源开关应用。 硬开关和高频电路
- 品牌名称
- KIA
- 商品型号
- KNH2908D
- 商品编号
- C41369555
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 246W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 230pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 640pF |
商品特性
- 在VGS = 10 V、DFN33/56封装条件下，RDS(ON) = 2.6 mΩ（典型值）
- 在VGS = 10 V、TO - 252封装条件下，RDS(ON) = 3.2 mΩ（典型值）
- 极低的导通电阻RDS(ON)
- 低Crss
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理