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KNS8104A
N沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：RDS(ON)=12mΩ（典型值）@VGS=10V。 极低导通电阻RDS(ON)。 低Crss。 快速开关。 100%雪崩测试。 改进的dv/dt能力。应用：PWM应用。 电源管理
- 品牌名称
- KIA
- 商品型号
- KNS8104A
- 商品编号
- C41369547
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1556克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 48W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 850pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 62pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 70pF |
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