温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
KND3303C
90A、30V N沟道MOSFET
- 描述
- 特性：RDS(ON) = 2.6mΩ（典型值），VGS = 10V，DFN3*3/5*6。 RDS(ON) = 3.2mΩ（典型值），VGS = 10V，TO-252。 极低导通电阻RDS(ON)。 低Crss。 快速开关。 100%雪崩测试。应用：PWM应用。 负载开关
- 品牌名称
- KIA
- 商品型号
- KND3303C
- 商品编号
- C41369537
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.48724克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 70W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.28nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 320pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 100 V，漏极电流（ID） = 3 A，当栅源电压（VGS） = 10 V时，导通电阻（RDS(ON)） < 286 mΩ
- 低栅极电荷。
- 提供环保型器件。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻（RDS(ON)）。
- 封装散热性能出色。