2ED2104S06FXUMA1

2ED2104S06F 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。在 VS 引脚（VCC = 15 V）上承受高达 -11 VDC 的负瞬态电压时，该器件具有出色的耐用性和抗噪能力，能够维持工作逻辑。器件中不存在任何寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，最低可支持 3.3 V 逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于在高端配置中驱动 N 沟道功率 MOSFET、SiC MOSFET 或 IGBT，其工作电压最高可达 650 V。

• VS_0FFSET 最大为 650 V
• |l0+_pk / l0-_pk（典型值） = 290 mA / 700 mA，VCC = 10 V 至 20 V
• 延迟匹配最大为 10 ns
• 传播延迟为 90 ns
• 英飞凌独特的薄膜绝缘体上硅（SOI）技术
• VS 负瞬态电压抗扰度为 -100 V
• 浮动通道专为自举操作而设计
• 工作电压（VS 节点）最高可达 +650 V
• 最大自举电压（VB 节点）为 +675 V
• 集成超快速、低电阻自举二极管
• VS 引脚逻辑工作电压最低可达 –11 V
• 输入负电压容差为 -5 V
• 两个通道均有独立的欠压锁定功能
• 带迟滞的施密特触发器输入
• 兼容 3.3 V、5 V 和 15 V 输入逻辑
• 最大电源电压为 25 V
• 关断输入可关闭两个通道
• DSO-8 封装
• 符合 RoHS 标准

• 在各种电力电子应用中驱动 IGBT、增强型 N 沟道 MOSFET
• 驱动配备 TRENCHSTOP IGBT6 或 600 V EasyPACK 模块的电机驱动器、通用逆变器
• 驱动配备 RCD 系列 IGBT、TRENCHSTOP 系列 IGBT 或等效功率级的制冷压缩机、电磁炉及其他主要家用电器
• 驱动使用低压 OptiMOS MOSFET 或等效功率级的电池供电小型家用电器，如电动工具、吸尘器
• 用于工业开关电源（SMPS）的离线 AC-DC 电源中的图腾柱、半桥和全桥转换器，采用高压 CoolMOS 超结 MOSFET 或 TRENCHSTOP H3 和 WR5 IGBT 系列
• 配备 CoolMOS 超结 MOSFET 的高功率 LED 和 HID 照明
• 电动汽车（EV）充电站和电池管理系统
• 在上述应用中驱动 650 V SiC MOSFET