2ED24427N01FXUMA1
2ED24427N01FXUMA1
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- 2ED24427N01FXUMA1
- 商品编号
- C3655508
- 商品封装
- DSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.169克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边 | |
| 负载类型 | MOSFET;IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 10A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拉电流(IOH) | 10A | |
| 工作电压 | 12.5V~24V | |
| 上升时间(tr) | - | |
| 下降时间(tf) | 33ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃@(Ta) |
商品概述
2ED24427N01F是一款低压功率MOSFET和IGBT同相栅极驱动器。采用专有的抗闩锁CMOS技术,实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容。输出驱动器具有电流缓冲级。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级设计,可将驱动器的交叉导通降至最低。两个通道之间的传播延迟相互匹配。VCC引脚的内部电路提供欠压锁定保护,在Vcc电源电压处于工作范围之前,输出保持低电平。
商品特性
- 灌电流和拉电流驱动能力均为10 A
- 欠压锁定电压为11.5 V,最大电源电压为24 V
- 使能功能
- CMOS施密特触发输入
- 输出与输入同相
- 兼容3.3 V、5 V和15 V输入逻辑
- 2 kV ESD HBM
- 符合RoHS标准
应用领域
- 在各种电力电子应用中,以单路或并联组合方式直接驱动大电流IGBT、增强型N沟道MOSFET,或通过栅极驱动变压器进行驱动
- 电动汽车(EV)充电站和电池管理系统
- DC-DC转换器
- 工业驱动器
- 工业开关电源
- 电机控制
- 工业应用
- 通用低端栅极驱动器
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个2500个/圆盘
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