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2ED2101S06FXUMA1
集成自举二极管的650V高端和低端栅极驱动器
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- 描述
- 2ED2101S06F 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高低侧参考输出通道。该驱动器具有出色的耐用性和抗噪性能，即使在 VS 引脚 (VCC = 15 V) 的负电压高达 -11 VDC 的情况下，也能在瞬态电压下保持逻辑正常工作。该器件中不存在任何寄生晶闸管结构，因此在任何温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁效应。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- 2ED2101S06FXUMA1
- 商品编号
- C3655605
- 商品封装
- DSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.112克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边；高边 | |
| 负载类型 | IGBT；MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 700mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拉电流(IOH) | 290mA | |
| 工作电压 | 10V~20V | |
| 上升时间(tr) | 70ns | |
| 下降时间(tf) | 35ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃@(Ta) |
商品概述
2ED2101S06F 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。它具有出色的耐用性和抗噪能力，在瞬态电压下，VS 引脚（VCC = 15 V）上的负电压高达 -11 VDC 时仍能维持工作逻辑。该器件中不存在任何寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，最低支持 3.3 V 逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于在高端配置中驱动 N 沟道功率 MOSFET、SiC MOSFET 或 IGBT，其工作电压最高可达 650 V。
商品特性
- 英飞凌独特的薄膜绝缘体上硅（SOI）技术
- 具备 -100 V 的负 VS 瞬态电压抗扰度
- 浮动通道专为自举操作而设计，工作电压（VS 节点）最高可达 +650 V
- 最大自举电压（VB 节点）为 +675 V
- 集成超快速、低电阻自举二极管
- VS 引脚在低至 -11 V 时逻辑仍可正常工作
- 输入具有 -5 V 的负电压容限
- 两个通道均具备独立的欠压锁定功能
- 带迟滞的施密特触发器输入
- 兼容 3.3 V、5 V 和 15 V 输入逻辑
- 最大电源电压为 25 V
- DSO-8 封装
- 符合 RoHS 标准
- 最大延迟匹配 = 10 ns
- 传播延迟 = 90 ns
应用领域
- 在各种电力电子应用中驱动 IGBT、增强型 N 沟道 MOSFET
- 驱动采用 TRENCHSTOP IGBT6 或 600 V EasyPACK 模块的电机驱动器、通用逆变器
- 驱动采用 RCD 系列 IGBT、TRENCHSTOP 系列 IGBT 或等效功率级的制冷压缩机、电磁炉及其他主要家用电器
- 驱动采用低压 OptiMOS MOSFET 或等效功率级的电池供电小型家用电器，如电动工具、吸尘器
- 用于工业开关电源（SMPS）的离线 AC-DC 电源中的图腾柱、半桥和全桥转换器，采用高压 CoolMOS 超结 MOSFET 或 TRENCHSTOP H3 和 WR5 IGBT 系列
- 采用 CoolMOS 超结 MOSFET 的高功率 LED 和 HID 照明
- 电动汽车（EV）充电站和电池管理系统
- 在上述应用中驱动 650 V SiC MOSFET