IR21084SPBF
IR21084SPBF
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IR21084SPBF
- 商品编号
- C3655750
- 商品封装
- SOIC-14
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.238克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | IGBT；MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 350mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拉电流(IOH) | 200mA | |
| 工作电压 | 10V~20V | |
| 上升时间(tr) | 150ns | |
| 下降时间(tf) | 50ns | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
IR2108(4)(S)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中的N沟道功率MOSFET或IGBT，其工作电压最高可达600V。
商品特性
- 浮动通道专为自举操作设计，可在高达+600V的电压下完全正常工作，耐受负瞬态电压，抗dV/dt干扰。
- 栅极驱动电源范围为10至20V。
- 双通道欠压锁定。
- 与3.3V、5V和15V输入逻辑兼容。
- 交叉导通预防逻辑。
- 双通道匹配的传播延迟。
- 高端输出与HIN输入同相。
- 低端输出与LIN输入反相。
- 逻辑地和功率地有+/-5V偏移。
- 内部死区时间为540ns，通过一个外部RDT电阻（IR21084）可将死区时间编程至最长5μs。
- 较低的di/dt栅极驱动器，具有更好的抗噪性。
- 提供无铅封装。