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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRS26072DSPBF

IRS26072DSPBF

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商品型号
IRS26072DSPBF
商品编号
C3655790
商品封装
SOIC-8​
包装方式
管装
商品毛重
0.199克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置半桥
负载类型IGBT;MOSFET
驱动通道数2
灌电流(IOL)350mA
属性参数值
拉电流(IOH)200mA
工作电压10V~20V
上升时间(tr)150ns
下降时间(tf)50ns
工作温度-40℃~+150℃@(Tj)

商品概述

IRS26072D 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与低至 3.3 V 的 CMOS 或 LSTTL 输出兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于在高达 600 V 的高端配置中驱动 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT。

商品特性

  • 为自举操作设计的浮动通道
  • 集成自举二极管,仅适用于互补 PWM 开关方案
  • 可在高达 600 V 的电压下完全正常工作
  • 耐受负瞬态电压,抗 dV/dt 干扰
  • 栅极驱动电源范围为 10 V 至 20 V
  • 双通道均具备欠压锁定功能
  • 与 3.3 V、5 V 和 15 V 输入逻辑兼容
  • 双通道的传播延迟匹配
  • 较低的 di/dt 栅极驱动器,具备更好的抗噪性能
  • 输出与输入同相
  • 符合 RoHS 标准

应用领域

  • 电机控制
  • 空调/洗衣机
  • 通用逆变器
  • 微型/小型逆变器驱动器

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