SIC642ACD-T1-GE3

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品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SIC642ACD-T1-GE3
商品编号: C3655788
商品封装: MLP55-31L(5x5)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.154克(g)

商品参数

	属性	参数值
	传播延迟 tpLH	-
	传播延迟 tpHL	-
	特性	过流保护(OCP)；过热保护(OTP)
	工作温度	-40℃~+150℃
	输入高电平(VIH)	-
	输入低电平(VIL)	-
	静态电流(Iq)	-
	功能特性	使能关断；死区时间控制

商品概述

SiC642和SiC642A是高频集成电源级，针对同步降压应用进行了优化，可提供高电流、高效率和高功率密度性能，且关断电流极低。该器件采用5毫米×5毫米MLP封装，使电压调节器设计能够每相提供高达50安培的连续电流。内部功率MOSFET采用TrenchFET技术，有助于降低开关和导通损耗。该器件集成了一个先进的MOSFET栅极驱动器IC，具有高电流驱动能力、自适应死区时间控制、集成自举开关以及用户可选零电流检测功能，以提高轻载效率。该驱动器兼容多种PWM控制器，支持三态PWM以及5伏和3.3伏PWM逻辑。该器件还支持PS4模式，以在系统处于待机状态时降低功耗。SiC642和SiC642A提供工作温度监测、保护功能和警告标志，以提高系统监测和可靠性。

商品特性

高效率设计，采用热增强型PowerPAK MLP55-31L封装，集成低阻抗自举开关，功率MOSFET针对12伏输入级优化，支持PS4模式轻载要求且关断电源电流低，零电流检测可提高轻载效率。
高度通用，支持5伏和3.3伏PWM逻辑，具备三态和保持关闭定时器，支持5伏DSBL#和ZCD_EN#逻辑及PS4状态，工作频率高达2兆赫。
坚固可靠，可提供超过50安培连续电流、70安培峰值电流和100安培峰值电流，具备过流保护、过温标志、过温保护、欠压锁定保护和高边MOSFET短路检测功能。
有效的监测和报告，提供精确的温度报告，以及警告和故障报告标志。

应用领域

用于计算、显卡和内存的多相电压调节器
高达16伏输入轨的DC/DC电压调节模块
处理器电源传输

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	-
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	-
	灌电流(IOL)	-
	拉电流(IOH)	-
	工作电压	4.5V~5.5V
	上升时间(tr)	-
	下降时间(tf)	-