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ISL83202IPZ实物图
  • ISL83202IPZ商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ISL83202IPZ

ISL83202IPZ

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商品型号
ISL83202IPZ
商品编号
C3655625
商品封装
PDIP-16​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置半桥
负载类型MOSFET
驱动通道数4
灌电流(IOL)1A
属性参数值
拉电流(IOH)1A
工作电压8.5V~15V
上升时间(tr)9ns
下降时间(tf)9ns
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

商品概述

ISL83202 是一款中频 H 桥 FET 驱动器,峰值驱动电流可达 1A(典型值),专为在中压应用中驱动高端和低端 N 沟道 MOSFET 而设计。该器件针对 PWM 电机控制和不间断电源系统进行了优化,可实现简单灵活的基于桥接的设计。ISL83202 的典型输入至输出传播延迟低至 25ns,用户可编程死区时间范围为 0.1μs 至 4.5μs,非常适合高达 200kHz 的开关频率。 ISL83202 的死区时间可通过单个电阻进行编程。ISL83202 的四个独立驱动器控制输入(ALI、AHI、BLI 和 BHI)允许驱动除会导致直通情况之外的所有可能的开关组合。全局禁用输入 DIS 会覆盖输入控制,并且在拉低时使 ISL83202 对自举电容进行刷新。集成的欠压保护和直通保护可确保系统可靠运行。 ISL83202 提供紧凑型 16 引脚 SOIC 和 16 引脚 PDIP 封装,工作温度范围为 -55℃ 至 +125℃。

商品特性

  • 可在半桥或全桥配置中独立驱动 4 个 N 沟道 FET
  • 自举电源最大电压:70VDC
  • 在 +50℃ 自由空气中驱动 1000pF 负载,上升和下降时间为 15ns(典型值)
  • 用户可编程死区时间为 0.1 至 4.5μs
  • DIS(禁用)覆盖输入控制,拉低时刷新自举电容
  • 输入逻辑阈值与 5V 至 15V 逻辑电平兼容
  • 直通保护
  • 欠压保护
  • 提供无铅加退火版本(符合 RoHS 标准)

应用领域

  • 不间断电源系统
  • 直流电机控制
  • 全桥电源
  • 开关功率放大器
  • 噪声消除系统
  • 电池供电车辆
  • 外设
  • 中/大型音圈电机

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