ISL6609ACBZ-TS2568

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品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: ISL6609ACBZ-TS2568
商品编号: C3655729
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	传播延迟 tpLH	-
	传播延迟 tpHL	-
	特性	-
	工作温度	0℃~+70℃
	输入高电平(VIH)	1.7V~2V
	输入低电平(VIL)	-
	静态电流(Iq)	132uA
	功能特性	使能关断；内置自举二极管；交错导通保护

商品概述

ISL6609、ISL6609A是一款高频MOSFET驱动器，针对同步整流降压转换器拓扑中的两个N沟道功率MOSFET驱动进行了优化。该驱动器与Intersil的ISL63xx或ISL65xx多相PWM控制器相结合，可为先进微处理器在高开关频率下提供高效的单级核心电压调节解决方案。该IC由单一低压电源（5V）供电，可将高MOSFET栅极电容和高开关频率应用中的驱动器开关损耗降至最低。每个驱动器能够在小于10ns的上升/下降时间内驱动3nF负载。上栅极驱动器通过内部低正向压降二极管实现自举，降低了实施成本和复杂度，并允许使用高性能、高性价比的N沟道MOSFET。集成了自适应直通保护功能，可防止两个MOSFET同时导通。ISL6609、ISL6609A的下栅极驱动器典型灌电流为4A，可增强下MOSFET在PHASE节点上升沿的栅极保持能力，防止因开关节点的高dV/dt导致下MOSFET自导通而造成的功率损耗。ISL6609、ISL6609A还具有识别高阻抗状态的输入，可与Intersil多相PWM控制器协同工作，防止在操作暂停时受控输出电压出现负瞬变。此功能消除了电力系统中可能用于保护负载免受负输出电压损坏的肖特基二极管的需求。此外，ISL6609A的自举功能旨在防止在PHASE节点转换时出现过大的负摆幅时BOOT电容过充电。

商品特性

驱动两个N沟道MOSFET
自适应直通保护
0.4欧姆导通电阻和4A灌电流能力，支持高开关频率
快速输出上升和下降
三态保持时间(20ns)
可替代ISL6605
自举电容过充保护(ISL6609A)
低正向压降内部自举二极管
低偏置电源电流
使能输入和上电复位
QFN封装
符合相关封装标准，接近芯片级封装尺寸，提升PCB效率，外形更薄
无铅

应用领域

核心电压供电
高频薄型高效DC/DC转换器
大电流低电压DC/DC转换器
隔离电源的同步整流

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	-
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	4A
	拉电流(IOH)	-
	工作电压	4.5V~5.5V
	上升时间(tr)	8ns
	下降时间(tf)	-