ISL89162FBEBZ
ISL89162FBEBZ
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- ISL89162FBEBZ
- 商品编号
- C3655734
- 商品封装
- SOIC-8-EP
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.358克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | - | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 6A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拉电流(IOH) | 6A | |
| 工作电压 | 4.5V~16V | |
| 上升时间(tr) | 20ns | |
| 下降时间(tf) | 20ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品概述
ISL89160、ISL89161和ISL89162是高速、6A双通道MOSFET驱动器。这些器件与ISL89163、ISL89164、ISL89165驱动器相同,但每个通道没有使能输入。 有两种输入逻辑阈值可供选择:3.3V(兼容CMOS和TTL)和5.0V(CMOS)。 所有逻辑输入上的精确阈值允许使用外部RC电路在两个输入INA和INB上产生准确且稳定的时间延迟。此功能对于死区时间控制非常有用。 在高开关频率下,这些MOSFET驱动器仅消耗非常小的偏置电流。采用独立的、非重叠驱动电路来驱动每个CMOS输出FET,以防止输出级出现直通电流。 启动序列的设计旨在防止在vDD开启或关闭时出现意外的干扰。当VDD < ~1V时,输出与地之间的内部10kΩ电阻有助于使输出电压保持在低电平。当~1V < VDD < UV时,两个输出以非常低的电阻被驱动为低电平,并且逻辑输入被忽略。这确保了被驱动的FET处于关断状态。当VDD > UVLO,并且经过短暂延迟后,输出现在对逻辑输入做出响应。
商品特性
- 双输出,6A峰值电流,可并联
- 典型导通电阻 < 10Ω
- 规定的米勒平台驱动电流
- 极低的热阻(θJC = 3 ℃/W)
- 3.3V CMOS、5V CMOS和TTL的迟滞输入逻辑电平
- 可与外部RC元件配合实现时间延迟的精确阈值输入
- 驱动10nF负载时的上升和下降时间为20ns
- NC引脚可连接到地或VDD,以简化PCB布局
应用领域
- 同步整流器(SR)驱动器
- 开关模式电源
- 电机驱动器、D类放大器、UPS、逆变器
- 脉冲变压器驱动器
- 时钟/线路驱动器
优惠活动
购买数量
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起订量:1 个98个/管
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